MJE181G

Купить со склада от 14.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJE181G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJE181G фото 1 MJE181G фото 1
MJE181G фото 2 MJE181G фото 2
MJE181G фото 3 MJE181G фото 3
MJE181G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE181G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
7.80 x 3.00 x 11.10 mm
Height
11.1 mm
Length
7.8 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
50 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Minimum DC Current Gain
12
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-225
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
3 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:22
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107162 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 14.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 18767 шт.

MJE181G%40ONS