MJE15032G

Купить со склада от 41.40 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJE15032G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
MJE15032G фото 1 MJE15032G фото 1
MJE15032G фото 2 MJE15032G фото 2
MJE15032G фото 3 MJE15032G фото 3
MJE15032G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE15032G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Height
15.75 mm
Length
10.28 mm
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Maximum DC Collector Current
16 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
10
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:33:59
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107154 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 41.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 31733 шт.

MJE15032G%40ONS