MJD32C1G

Купить со склада от 20.10 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD32C1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJD32C1G фото 1 MJD32C1G фото 1
MJD32C1G фото 2 MJD32C1G фото 2
MJD32C1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD32C1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
Bipolar Transistors
RoHS
No
Product
Bipolar Small Signal Power
Configuration
Single
Transistor Polarity
PNP
DC Current Gain hFE Min
25 @ 1A @ 4V
Maximum Operating Frequency
3 MHz (Min)
Package Case
SOIC W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Power Dissipation
1560 mW
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Continuous Collector Current
3 A
обновлено 2017-01-11 13:54:00
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107128 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 20.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 10550 шт.

MJD32C1G%40ONS