MJD31CG

Купить со склада от 9.95 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD31CG@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJD31CG фото 1 MJD31CG фото 1
MJD31CG фото 2 MJD31CG фото 2
MJD31CG фото 3 MJD31CG фото 3
MJD31CG
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD31CG
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
3 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
15 W
Minimum DC Current Gain
10
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Width
6.22 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107125 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 9.95RUB руб. Купить

Доступное количество: 80635 шт.

MJD31CG%40ONS